超難加工材料の新規研磨プロセス（スマート研磨）の開発

平成25年度から研磨装置、26年度からウェハ製造ラインと連続して同分野の開発に取り組んでいると事例にあり、一貫性は読み取れる。

SiCやGaNの難加工性とコスト高が課題とあるが、市場動向や自社の競争優位の根拠は具体的に書かれていない。

長時間研磨がコスト高の一因とし、従来の5分の1から6分の1の加工時間を実現する目標が示されており、課題と解決策の対応は具体的。

従来の5分の1から6分の1の加工時間という目標はあるが、付加価値額や賃上げの目標値は書かれていない。

大学との共同研究であることや総責任者の専務が示されているが、人材や事務処理体制の具体的な確保状況は書かれていない。

高性能デバイスを低価格で普及させるという目的は示されているが、顧客ターゲットや選ばれる理由の整理は薄い。

開発の方向性は示されているが、スケジュールや課題の解決方法、中長期の検証内容は事例からうかがえる程度。

SiCやGaNは普及途上の次世代材料とあるが、高水準の高付加価値化・高価格化についての具体的記述は薄い。

省エネの切り札として電力会社や自動車メーカーが期待し、ミニマルファブ構想に協力すると書かれ、社会的意義はうかがえる。

補助金投入額や付加価値額の増加など費用対効果を示す数字は書かれておらず、加工時間短縮のみが示されている。

ミニマルファブ向けの高効率製造ラインや自動化を掲げ、新製造方法への貢献はうかがえるが、サプライチェーン全体への効果は具体的でない。

次世代パワー半導体や医療分野など成長分野への進出が書かれ、構造転換への寄与がうかがえるが、政策との関係は明示されていない。